[发明专利]高纯粒状硅及其制造方法有效
| 申请号： | 200580038841.0 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101076493A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | J·伊布拉希姆;M·G·艾维;T·D·特鲁昂 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/027;C23C16/24;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了高纯半导体级粒状硅合成物及其制造方法。通过在第一化学气相沉积(CVD)反应器中在硅晶种上沉积硅，由此使晶种生长成较大的二级晶种，可以制造商业量的粒状硅。在第二CVD反应器中在二级晶种上沉积另外的硅。在第三反应器中减少粉尘。本文所公开的方法可实现比传统实践更高的生产量和更好的收率。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 粒状 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体级粒状硅粒子的方法，包括下列步骤：在第一化学气相沉积(CVD)反应器中加入在碎裂法中制成的并具有第一平均尺寸的初级晶种；通过化学气相沉积由流过第一CVD反应器的硅沉积气体在初级晶种上沉积另外的硅，以增大它们的尺寸并形成二级晶种；通过均相分解在第一CVD反应器中形成另外的二级晶种；将在第一CVD反应器中制成的并具有大于初级晶种的第一平均尺寸的第二平均尺寸的二级晶种加入第二CVD反应器；和通过化学气相沉积由流过第二CVD反应器的硅沉积气体在二级晶种上沉积另外的硅，以增大它们的平均尺寸，并形成具有大于二级晶种的第二平均尺寸的第三平均尺寸的粒状硅粒子。
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