[发明专利]在离子阱中高Q脉冲碎裂有效

专利信息
申请号: 200580038639.8 申请日: 2005-09-12
公开(公告)号: CN101061564A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 杰·C·施瓦兹 申请(专利权)人: 塞莫费尼根股份有限公司
主分类号: H01J49/42 分类号: H01J49/42
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人: 霍育栋;颜涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于质谱仪的离子阱(104),包括:RF捕获电压电源(112),用于施加RF捕获电压至离子阱(104)的多个电极(102,106,110)中的至少一个,以捕获(trap)在离子阱(104)中的至少一部分离子;共振激发电压电源(114),用于施加共振激发电压脉冲至电极(102,106,110)以使已选离子组的至少一部分受到碰撞并破裂变成离子碎片;以及,计算机(116),用于控制RF捕获电压电源(112)以在预定延迟周期之后降低RF捕获电压至第二幅度用于保持低质量离子碎片在离子阱(104)中用于随后分析,上述延迟周期跟在共振激发电压脉冲的终止之后。
搜索关键词: 离子 中高 脉冲 碎裂
【主权项】:
1、一种质谱仪,包含:离子源,用于从样本中产生离子;离子光学系统,用于从该离子源传输离子到具备多个电极的离子阱,该离子阱具备内部区域,离子被导入到该内部区域中;RF捕获电压电源,用于施加具备第一幅度的RF捕获电压至该多个电极中的一个或多个,以产生一个场,用于捕获被导入该离子阱的至少一部分离子;共振激发电压电源,用于给一个脉冲持续时间施加共振激发电压脉冲,以引起已选离子组的至少一部分受到碰撞并被碎裂成离子碎片,该离子碎片包括低质量离子碎片;以及该RF捕获电压电源,被配置为在预定延迟周期之后降低RF捕获电压至第二幅度,该预定延迟周期跟随着共振激发电压脉冲的终止,以便大部分低质量离子碎片保持在该离子阱中用于稍后分析。
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