[发明专利]对镶嵌结构进行平面化

摘要

公开了一种制造镶嵌结构的方法，包括：在衬底(10)上形成牺牲层(20)，以保护用于镶嵌结构的凹槽(30)附近的区域；在凹槽中形成阻挡层(40)，并且与牺牲层电接触；在凹槽中形成镶嵌结构(50)；以及进行平面化。在平面化期间，牺牲层与阻挡层或与镶嵌结构电化学反应。这可以改变镶嵌结构和牺牲层去除的相对速率，从而减少镶嵌结构的凹陷或突出、减少铜残留物、以及减少阻挡材料侵蚀。可以通过ALCVD形成阻挡层。阻挡材料是WCN和TaN中的一个或更多个。牺牲层可以是TaN、TiN或W。

主权项

1.一种在衬底中制造镶嵌结构的方法，包括步骤：在衬底(10)上沉积导电牺牲层(20)；刻蚀沟槽或凹槽(30)穿过牺牲层(20)进入衬底(10)；沉积阻挡层(40)，覆盖沟槽或凹槽(30)的侧壁和底部之间的表面，并且与牺牲层(20)电接触；沉积导电层(50)，并且过填充沟槽或凹槽(30)；以及去除和/或平面化导电金属层(50)以形成镶嵌结构，选择牺牲层(20)和阻挡层(40)的材料，使得在去除或平面化期间，牺牲层(20)与阻挡层(40)或与镶嵌结构电化学反应。