[发明专利]具有前侧接触和垂直沟槽隔离的半导体器件及其制作方法

摘要

一种在绝缘体上半导体(SOI)衬底(20)中形成接触柱(36)和周围隔离沟槽(28)的方法。所述方法包括：从衬底(20)的有源层(6)向绝缘层(4)刻蚀接触孔(26)和周围隔离沟槽(28)；对沟槽(28)进行掩模，然后进一步将接触孔(26)刻蚀到底部衬底层(2)；用未掺杂的本征多晶硅(34)填充沟槽(28)和接触孔(26)；然后关于填充接触孔(26)的多晶硅材料实行掺杂工艺，形成原位高掺杂接触柱(36)，而填充沟槽(28)的材料保持非导电。所述方法能够同时形成隔离沟槽和接触柱，从而避免器件制作工艺的不适当干扰。

主权项

1.一种关于绝缘体上半导体衬底(20)的有源半导体器件区(32)形成接触柱(36)和各隔离沟槽(28)的方法，所述衬底(20)包括：底部半导体衬底层(2)，所述底部半导体衬底层(2)上的一层绝缘材料(4)，在所述绝缘材料层(4)上设置可在其中形成有源半导体器件的有源半导体层(6)，所述方法包括如下步骤：形成接触孔(26)和周围沟槽(28)，所述接触孔(26)从所述有源半导体层(6)的表面向所述底部半导体衬底层(2)延伸，并且所述周围沟槽(28)从所述有源半导体层(6)的表面向所述绝缘材料层(4)延伸；提供具有电介质层(30)的所述沟槽(28)的侧壁；用电介质或者实质上为非导电的半导体材料(34)填充所述接触孔(26)和所述周围沟槽(28)；以及用实质上为高导电的半导体填充所述接触孔(26)，以形成导电接触柱(36)。