[发明专利]等离子体成膜方法和等离子体成膜装置无效

专利信息
申请号: 200580034009.3 申请日: 2005-10-04
公开(公告)号: CN101036219A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 小林保男;太田与洋;康松润;泽田郁夫 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/314 分类号: H01L21/314;C23C16/26
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置,相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W),通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下:处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下,微波电力是2000W以上2300W以下,基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下,基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下,基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此,形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。
搜索关键词: 等离子体 方法 装置
【主权项】:
1.一种等离子体成膜方法,其特征在于,基于微波的能量,将由碳和氟构成、并具有单独1个三键、1个以上双键、或共轭双键的化合物的原料气体活化,利用由此得到的含有C4F6或C4F5的成膜种,形成加氟碳膜,其中,对该原料气体进行活化,使得活化后的原料气体浓度为活化前的原料气体浓度的0.05倍以上0.5倍以下。
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