[发明专利]由MOS晶体管进行开关的电容器阵列无效
| 申请号： | 200580033904.3 | 申请日： | 2005-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101036227A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·H·A·布雷克曼斯;温森特·朗博;让·范辛德伦;马克·G·M·诺滕 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/08;H03J5/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种具有低损耗的集成可变电容，包括开关电容器(2－8)阵列(1)。当使用开关电容器(2－8)阵列(1)形成准连续可变电容器时，作为至阵列(1)的数字控制信号的函数的阵列(1)电容的连续性导致作为电容函数的阵列(1)串联电阻的总体行为，而这些行为对于一些应用可能是不希望。因此，提出一种开关阵列(1)的拓扑布局，以允许相对独立于电容而设定串联电阻。可以将阵列(1)完全地或部分地集成到可调谐LC滤波器和TV调谐器中。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 进行 开关 电容器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种电容器(2-8、195-198、241)阵列(1、61、111、121、141、161、191)，每一个电容器均具有电容，所述阵列包括：MOS晶体管(9-15、69-75、115、116、126、127、130-133、199-202、245)，用于对电容器阵列进行开关，每一个所述MOS晶体管(9-15、69-75、115、116、126、127、130-133、199-202、245)的几何特性与连接至所述MOS晶体管的电容器的电容成比例。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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