[发明专利]处理剂材料无效
| 申请号： | 200580030450.4 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101015045A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | A·S·巴纳普;B·A·克洛莱夫;R·Y·梁;B·C·穆诺兹;T·A·拉莫斯;R·R·罗思;P·G·阿彭;D·H·恩迪施;B·J·丹尼尔斯;A·纳曼;N·伊瓦莫托 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;段晓玲 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种当施用至所述薄膜时，能增加有机硅酸盐玻璃介电薄膜疏水性的处理剂组合物。它包括能够通过甲硅烷基化使有机硅酸盐玻璃介电薄膜的甲硅烷醇部分烷基化或芳基化的组分，及可为酸、碱、类化合物、脱水剂及其组合的活化剂，和任选的溶剂或主要溶剂和共溶剂的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理有机硅酸盐玻璃介电薄膜的组合物，所述组合物包含：a)能够通过甲硅烷基化使有机硅酸盐玻璃介电薄膜的甲硅烷醇部分烷基化或芳基化的组分，及b)活化剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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