[发明专利]薄膜电容器及其形成方法、以及计算机可读取的存储介质无效
| 申请号： | 200580030335.7 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101015052A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 柿本明修 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的薄膜电容器中，抑制电场集中，降低漏电流。在由导电材料构成的下部电极(22)上形成第一锆氧化物层(26A)。在第一锆氧化物层(26A)上形成由非结晶材料构成的缓冲层(28)。在缓冲层(28)上形成第二锆氧化物层(26B)，在第二锆氧化物层(26B)上形成由导电材料构成的上部电极(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 及其 形成 方法 以及 计算机 读取 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容器，以锆氧化物或铪氧化物作为电介体而形成，其特征在于，包括：由导电材料构成的下部电极；形成在该下部电极上的第一电介体层；形成在该第一电介体层上的缓冲层；形成在该缓冲层上的第二电介体层；和形成在该第二电介体层上的、由导电材料构成的上部电极，其中，所述第一和第二电介体层由锆氧化物及铪氧化物的任意一种形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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