[发明专利]制造晶片级摄像头模块的方法无效
申请号: | 200580029500.7 | 申请日: | 2005-09-01 |
公开(公告)号: | CN101010807A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 金德勋 | 申请(专利权)人: | 阿帕托佩克股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了多个光感测器件封装。所述封装形成在衬底的单元衬底部分上,每个封装包括至少一个光感测半导体管芯。所述衬底由对预定波长范围内的光基本透明的材料形成,每个单元衬底部分具有正面和处于所述正面相对侧的背面。各个光感测半导体管芯限定了至少一个光感测区域,所述光感测区域与单元衬底部分的正面相对,以接收碰撞到所述背面并穿过所述单元衬底部分的光。衬底上还设置有多个透镜箱,每个所述透镜箱包括至少一个透镜元件,所述透镜元件被设置为与设置在单元衬底部分正面上的半导体管芯光学对准。通过对衬底进行划片以将单元衬底部分彼此分离,可形成多个所述光感测器件封装。 | ||
搜索关键词: | 制造 晶片 摄像头 模块 方法 | ||
【主权项】:
1.一种组件,其具有多个可彼此分割开的预形成的光感测器件封装,所述组件包括:(a)衬底,其由对预定波长范围内的光基本透明的材料形成,所述衬底限定有多个单元衬底部分,每个所述单元衬底部分具有正面和处于所述正面相对侧的背面;(b)与所述衬底结合的多个光感测半导体管芯,各个所述光感测半导体管芯限定有至少一个光感测区域,所述光感测区域与所述单元衬底部分中的一个的正面相对,以接收碰撞到所述背面并穿过所述单元衬底部分的光;以及(c)多个透镜箱,所述透镜箱中的每一个与所述单元衬底部分中的一个的背面相结合,每个所述透镜箱包括至少一个透镜元件,所述透镜元件被设置为与设置在所述单元衬底部分正面上的所述半导体管芯光学对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿帕托佩克股份有限公司,未经阿帕托佩克股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580029500.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信息处理装置、信息处理装置系统和控制方法
- 下一篇:高数据速率解调系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的