[发明专利]在低利用工艺中流量和压力梯度的去除无效
| 申请号： | 200580029355.2 | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101010783A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·P·格鲁斯;安德烈亚斯·G·海格达斯;萨思诗·库普劳 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/314;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了在低物种利用工艺期间，通过停止气体流入反应腔室，可使扩散入衬底的原子数量均匀或者可使薄膜的厚度均匀。停止气体流入反应腔室可能需要关闭阀门(真空泵的阀门)，稳定反应腔室内的压力，以及在停止气体流入腔室时维持稳定的压力。低物种利用工艺包括通过去耦等离子体氮化(DPN)使氮扩散到二氧化硅栅介电层中，通过快速热处理(RTP)或者化学气相沉积(CVD)沉积二氧化硅膜，以及通过CVD沉积硅外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 工艺 流量 压力梯度 去除 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：流入气体到腔室中；停止气体流入所述腔室中；以及在使所述腔室内的压力和流量梯度最小之后，在所述腔室内执行低物种利用工艺。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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