[发明专利]制造具有通过纳米线接触的导电材料层的电子器件的方法无效
| 申请号： | 200580028778.2 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101010793A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 罗伯茨·T·F·范沙吉克;普拉哈特·阿佳维;埃里克·P·A·M·贝克斯;马特吉·H·R·兰赫斯特;米哈依尔·J·范杜里恩;亚伯拉罕·R·贝尔克南德;路易斯·F·费尼尔;皮埃尔·H·沃尔里 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的电子器件(100)包括电阻率可在第一值和第二值之间切换的存储材料层(107)。存储材料可以是相变材料。该电子器件(100)还包括一组纳米线(NW)，电连接该电子器件(100)的第一端子(172)与存储材料层(107)，从而使得能够从第一端子通过纳米线(NW)和存储材料层(107)向电子器件的第二端子(272)传导电流。每一纳米线(NW)在各自的接触面积与存储材料层(107)电接触。所有接触面积实质上相同。根据本发明的方法适于制造根据本发明的电子器件(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 通过 纳米 接触 导电 材料 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造电子器件(100)的方法，所述电子器件包括：导电材料层(107)，和与导电材料层(107)电连接的一组纳米线(NW)，用于通过纳米线(NW)向导电材料层(107)传导电流，每一纳米线(NW)在各自的接触表面与导电材料层(107)电接触，所有接触表面具有实质上相同的表面面积，所述方法包括如下步骤：设置具有一组预制纳米线(NW)的基体(102)，对该组预制纳米线(NW)进行材料去除处理，用于获得该组纳米线，其中每一纳米线具有它们各自露出的接触表面，以及向纳米线(NW)设置导电材料层(107)，从而将每一纳米线(NW)在各自的接触表面与导电材料层(107)电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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