[发明专利]具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法

摘要

通过将浮置隔片及栅极的非易失性存储晶体管(图1)设置成对称对(30)，可以实现芯片密度的提高。对每对这样的晶体管来说，浮置栅极(17a，17b)横向地与在每一个浮置栅极的横向向外的边缘上的浮置隔片(45，47)对准。在横向向内边缘处，两个晶体管共用一个公用电极(57)。除了该公用的电极外，晶体管彼此是相互独立的。隧道氧化物(41)将浮置隔片与浮置栅极分隔开，但该隔片与栅极保持在一共同的电位上，从而当电荷被编程电压驱动时，为电荷从隧道氧化物出去提供了两条通路。该晶体管对可以在垂直于对的方向的列的方向上以列对准从而形成存储器阵列。

主权项

1. 一种镜像非易失性存储晶体管对的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底的隔离区域内建立具有相对侧壁的台面结构，所述半导体衬底具有其上建立所述结构的表面，所述台面结构具有多晶硅浮置栅极；利用所述台面结构的相对侧壁在所述衬底内进行第一表面下电极的自对准离子注入；以相对于所述台面结构的相对侧壁的隔离关系沉积第一多晶硅隔片；在所述台面结构中蚀刻出一间隙，从而将所述台面结构分成两个各自都具有多晶硅浮置栅极的台面子结构，且暴露边缘面对着所述间隙；通过所述间隙把第二表面下电极注入到所述衬底内，所述表面下电极是所述两个台面子结构中的每一个的公用电极；形成一对接触隔片，每一个所述接触隔片电连接所述第一多晶硅隔片和每一台面子结构的多晶硅浮置栅极；以及在所述台面子结构的浮置栅极上面形成控制栅极。