[发明专利]均匀去除有机材料的方法无效
| 申请号： | 200580028515.1 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101006565A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | R·V·安纳普拉加达;O·图尔梅尔;K·塔克施塔;L·郑;T·S·崔;D·R·皮尔克尔 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种去除衬底上的有机材料的方法。将衬底置于等离子体加工室中。向等离子体加工室内的内部区域提供第一气体。向等离子体加工室的外部区域提供第二气体，其中，上述外部区域包围上述内部区域，且第二气体具有含碳成分，其中，第二气体的该含碳成分的浓度高于第一气体的该含碳成分的浓度。同时从第一和第二气体中生成了等离子体。使用该生成的等离子体去除了部分或所有有机材料。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 去除 有机 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于去除衬底上的有机材料的方法，包括：将所述衬底放置在等离子体加工室中；向所述等离子体加工室内的内部区域提供第一气体；向所述等离子体加工室的外部区域提供第二气体，其中，所述外部区域包围所述内部区域，且所述第二气体具有含碳成分，其中，所述第二气体的所述含碳成分的浓度高于所述第一气体中的所述含碳成分的浓度；同时从所述第一和第二气体中生成等离子体；使用所述生成的等离子体去除部分所述有机材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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