[发明专利]沉积多孔膜的方法

摘要

本发明提出一种用于沉积多孔氧化硅与掺杂氧化硅膜之方法。该方法使用循环方式，其中每个循环包括先共沉积氧化硅与硅，然后选择性去除该硅以形成多孔结构。在较佳具体实施例中，该共沉积作用系以等离子体强化化学气相沉积法进行。该试剂进料流包括共沉积试剂与选择性硅去除试剂的混合物。使用RF功率调变控制该共沉积作用及该选择性硅去除步骤，后者步骤总是在关闭该RF功率或是将其降至低水准时进行。以此方法可制得具有高度均匀小孔及所需孔率轮廓之多孔膜。该方法有利于形成广泛范围之供半导体集成电路制造用的低k电介质。该方法亦有利于形成用于其它应用之其它多孔膜。

主权项

1.一种将主体基质材料的多孔膜沉积在一基材上的方法，其包括数个加工循环，其中每个循环包括：一共沉积该主体基质材料与硅；一在共沉积之后，将该共沉积物置于包括至少一种选择性硅去除试剂的反应环境，从而使该共沉积物中的硅通过该选择性硅去除试剂优先化学去除，在该共沉积物中形成孔；重复进行该共沉积与该选择性硅去除步骤，构成该多孔膜的厚度。