[发明专利]π电子共轭类有机硅烷化合物、功能性有机薄膜及它们的制造方法无效

专利信息
申请号: 200580026636.2 申请日: 2005-07-28
公开(公告)号: CN1993371A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 今田裕士;花户宏之;田村寿宏 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: C07F7/18 分类号: C07F7/18;H01B1/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供不仅可以通过使用溶液处理的简便方法形成、而且可牢固地吸附于基板表面并具有高有序性(结晶性)和高密度填充特性的功能性有机薄膜,可形成该薄膜的有机硅烷化合物及它们的制造方法。以式:A-B-C-SiX1X2X3(A为氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1~30的1价脂肪族烃基;B为氧原子或硫原子;C为表现出π电子共轭的2价有机基团;X1~X3为通过水解产生羟基的基团)表示的π电子共轭类有机硅烷化合物。使用该有机硅烷化合物的有机薄膜。上述有机硅烷化合物的制造方法是,对于含以式:H-C-H(C与上述意义相同)表示的化合物由威廉逊反应通过醚键或硫醚键引入烃基A后,通过与以式:X4-SiX1X2X3(X1~X3与上述意义相同)表示的化合物的反应引入硅烷基。功能性有机薄膜的制造方法是,将上述有机硅烷化合物中的硅烷基水解,使其与基板表面反应,形成与基板直接吸附的单分子膜后,使用非水性有机溶剂将该单分子膜上未反应的有机硅烷化合物清洗除去。
搜索关键词: 电子 共轭 有机 硅烷 化合物 功能 薄膜 它们 制造 方法
【主权项】:
1.以通式(I):A-B-C-SiX1X2X3(I)表示的π电子共轭类有机硅烷化合物,式(I)中,A为氢原子可以被卤素原子取代的碳原子数1~30的1价脂肪族烃基,B为氧原子或硫原子,C为表现出π电子共轭的2价有机基团,X1~X3为通过水解产生羟基的基团。
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