[发明专利]涂布的基片及其制备方法有效
| 申请号： | 200580025942.4 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101044266A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | M·洛博达;S·斯诺;W·韦德纳;L·赞伯夫 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23C28/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种涂布的基片，其含有包括密度为至少1.6g/cm3的氢化碳氧化硅的至少一层阻挡层，和至少一层选自铝、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛、氧化钛、氮化钛和氮氧化钛的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种涂布的基片，其包括：基片；在基片上的第一阻挡层，其中第一阻挡层包括密度为至少1.6g/cm3 的氢化碳氧化硅；和在第一阻挡层上的至少两层交替的缓冲层和阻挡层，其中每一交替的缓冲层包括密度小于1.6g/cm3的氢化碳氧化硅，和每一交替的阻挡层独立地选自密度为至少1.6g/cm3的氢化碳氧化硅、铝、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛、氧化钛、氮化钛和氮氧化钛，条件是至少一层交替的阻挡层选自铝、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛、氧化钛、氮化钛和氮氧化钛。
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