[发明专利]封闭回路清洁气体方法和系统无效
申请号: | 200580025544.2 | 申请日: | 2005-07-27 |
公开(公告)号: | CN101010446A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 凯斯·R·哈维 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种移除在处理室的内表面上形成的沉积物的反馈回路清洁系统,包括:流动控制器,其设定供应到等离子体产生系统的清洁气体混合物的流率,其中等离子体产生系统由清洁气体混合物产生等离子体,所述等离子体包括反应清洁物质;检测器,其产生具有与反应产物的浓度相关的信息的反馈信号,通过反应清洁物质与在处理室的内表面上形成的沉积物的反应形成所述反应产物;和处理器,其将反馈信号转换为控制信号,其中所述控制信号用于在流动控制器处连续地控制所述清洁气体混合物的流率。而且,还公开了一种移除在处理室的内表面上形成的沉积物的方法。 | ||
搜索关键词: | 封闭 回路 清洁 气体 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种移除在处理室的内表面上形成的沉积物的方法,所述方法包括:由清洁气体混合物形成等离子体,其中所述等离子体包括反应清洁物质;使所述反应清洁物质与所述处理室的所述内表面上的所述沉积物的第一部分反应以形成反应产物;产生具有与所述反应产物的浓度有关的信息的反馈信号;和基于所述反馈信号调节所述清洁气体混合物的流率,并使所述反应清洁物质与所述沉积物的第二部分反应。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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