[发明专利]半导体器件的形成方法及其结构无效
| 申请号： | 200580025306.1 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1989603A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 秉·W·闵;奈杰尔·G·卡韦;文卡塔·R·科拉甘塔;奥马尔·齐亚;锡南·格克泰佩利 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，描述了一种用于形成半导体器件(10)的方法。半导体衬底(11)具有第一部分(14或16)和第二部分(18或20)。第一电介质层(24或26)形成在半导体衬底的第一部分上方，第二电介质层(30)形成在半导体衬底的第二部分上方。可包括硅例如多晶硅的帽盖(28)形成在第一电介质层上方。第一电极层(40)形成在帽盖上方，第二电极层(32、36或40)形成在第二电介质上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供具有第一部分和第二部分的半导体衬底；在所述半导体衬底的所述第一部分上方形成第一电介质层；在所述半导体衬底的所述第二部分上方形成第二电介质层；在所述第一电介质上方形成帽盖；和在所述第二电介质层上方形成第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
