[发明专利]使用沉陷沟槽具有顶部漏极的半导体功率器件有效
| 申请号： | 200580024408.1 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101095218A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·E·格雷布斯;加里·M·多尔尼 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体功率器件，包括：第一导电型基板；第一导电型外延层，该外延层位于基板上方并与基板相接触。第一沟槽延伸到并终止于外延层内。沉陷沟槽从外延层的顶表面延伸穿过外延层并终止于基板内。沉陷沟槽与第一沟槽横向隔开，沉陷沟槽比第一沟槽宽且延伸得更深。沉陷沟槽仅沿沉陷沟槽侧壁以绝缘体作衬里，使得填充沉陷沟槽的导电材料沿沟槽的底部与基板进行电接触，并沿沟槽的顶部与互连层进行电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 沉陷 沟槽 具有 顶部 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，包括：第一导电型基板；第一导电型外延层，所述外延层位于所述基板的上方并与所述基板相接触；第一沟槽，延伸到并终止于所述外延层内；沉陷沟槽，从所述外延层的顶表面延伸穿过所述外延层并终止于所述基板内，所述沉陷沟槽与所述第一沟槽横向隔开，所述沉陷沟槽比所述第一沟槽宽且延伸得更深，所述沉陷沟槽仅沿所述沉陷沟槽的侧壁以绝缘体作衬里，使得填充所述沉陷沟槽的导电材料沿所述沟槽的底部与所述基板进行电接触，并沿所述沟槽的顶部与互连层进行电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
