[发明专利]用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200580024380.1 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101002309A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 亚新·王;瑟里亚纳雷亚南·伊耶;肖恩·索特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一实施例中，提供一种用以沉积一内含氮化硅的膜层在一基板表面的方法，其包括将该基板放置在一处理室中，加热该基板至一预定温度，将该基板表面暴露在一烷氨硅烷化合物及至少一种不含氨的反应物下，及沉积一氮化硅材料至该基板表面上。在另一实施例中，提供一种用以在一处理室中沉积一氮化硅层于一基板表面上的方法，其包括加热该基板至一介于约400℃至约650℃间的温度，将该基板暴露在一烷氨硅烷化合物及一种诸如氢气、甲硅烷、甲硼烷、甲锗烷、烷类、碳氢化物、胺类、联氨类、其衍生物或其组合的反应物下。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 晶体管 低热 预算 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在一基板表面上沉积一氮化硅层的方法，其至少包含下列步骤：放置一基板在一处理室中；加热该基板至一预定温度；将该基板表面暴露在一烷氨硅烷化合物及至少一不含氨的反应物下；及沉积一氮化硅材料在该基板表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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