[发明专利]低K电介质蚀刻无效
| 申请号： | 200580023927.6 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101027760A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | S·S·康;Z·黄;S·M·R·萨德贾迪 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于在光致抗蚀剂掩模下蚀刻电介质层的方法。提供具有在光致抗蚀剂掩模下设置的电介质层的晶片到蚀刻室内。提供包括CF4和H2的蚀刻气体到蚀刻室内，其中CF4具有流速并且H2具有流速，其中H2的流速大于CF4的流速。从蚀刻气体形成等离子体。使用从蚀刻气体形成的等离子体通过蚀刻掩模蚀刻特征到电介质层中。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、一种用于在光致抗蚀剂掩模下蚀刻电介质层的方法，包括：提供具有在光致抗蚀剂掩模下设置的电介质层的晶片到蚀刻室内；提供包括CF4和H2的蚀刻气体到蚀刻室内，其中CF4具有流速并且H2具有流速，其中H2的流速大于CF4的流速；从蚀刻气体形成等离子体；和使用从蚀刻气体形成的等离子体通过蚀刻掩模蚀刻特征到电介质层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
