[发明专利]异质结构场效应晶体管无效
| 申请号： | 200580023009.3 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1981382A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | H·马赫尔;P·鲍德特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | HEFT具有衬底(2)、缓冲层(4)、沟道层(8)、隔离层(10)、δ掺杂层(12)、肖特基势垒层(14)和盖层(18)以及金属层(20)，后者利用下面的半导体形成肖特基势垒。沟道可以是GaInAs，以及势垒层(4)、隔离层(10)和肖特基势垒层可以是AlInAs。在肖特基势垒层(14)和金属层(18)之间添加例如GaAs的附加薄层，以在不产生过多的缺陷的情况下增强肖特基势垒高度。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种异质结场效应晶体管(FET)，包括：具有第一主表面的衬底(2)；在第一主表面上用于形成沟道的第一半导体材料的沟道(8)半导体材料层；在沟道上的第二半导体材料的肖特基半导体材料层(14)，第二半导体材料(14)的带隙大于第一半导体材料(8)的带隙；和在肖特基半导体材料层上的金属栅极层(20)，利用肖特基半导体材料层形成肖特基势垒；其特征在于，在金属栅极层(20)和肖特基半导体材料层(14)之间的第三半导体材料的中间半导体层(16)，该第三半导体材料在金属栅极层(20)的情况下具有比第二半导体材料层高的肖特基势垒高度。
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