[发明专利]减少硅晶片中的金属杂质的方法无效
| 申请号： | 200580022823.3 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1981369A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | L·W·夏夫;B·L·吉尔摩 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;秘凤华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种从具有表面和内部的硅晶片除去选自铜、镍及其组合的杂质的方法。该方法包括在受控的气氛中从等于或高于氧化起始温度的温度冷却硅晶片，并在所述氧化起始温度下使含氧气氛开始流动以便围绕硅晶片表面形成氧化环境，从而在硅晶片表面上形成氧化层，并在该氧化层和硅晶片内部之间的界面处形成应变层。此外控制晶片的冷却以使杂质的原子从硅晶片内部扩散到该应变层。然后，清洗硅晶片以除去氧化层和应变层，从而除去已扩散到该应变层的所述杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 晶片 中的 金属 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从具有硅晶片表面和硅晶片内部的硅晶片除去选自铜、镍及其组合的杂质的方法，该方法包括：在受控的气氛中从等于或高于氧化起始温度的温度冷却硅晶片；在所述氧化起始温度下使含氧气氛开始流动以便围绕硅晶片表面形成氧化环境，从而在硅晶片表面上形成氧化层并在该氧化层和硅晶片内部之间的界面处形成应变层；控制该冷却以使杂质的原子从硅晶片内部扩散到该应变层；以及清洗该硅晶片以除去氧化层和应变层，从而除去已扩散到该应变层的所述杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580022823.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有适用于机动车的密封结构的物镜
- 下一篇：减少光罩沉淀缺陷的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
