[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200580020964.1 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1998272A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 斧高一;上坂裕之;石桥清隆;泽田郁夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;C23C16/511;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在平面天线部件(3)上由多个同心圆形成环状的槽口(300～304)，将中心部的导体(310、311)的厚度形成为相对的薄，将周边部的导体(312～315)的厚度形成为相对的厚，由此，微波不衰减，易于通过槽口(300～304)，能够得到均匀的电场分布，能够在处理空间内平均地产生均匀的高密度的等离子体，所以能够使被处理体接近天线部件(3)，可以高速且均匀地处理被处理体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：在内部设置有载置被处理体的载置台的处理容器；发生微波的微波发生器；将所述微波发生器产生的微波导入所述处理容器用的波导管；和与所述波导管连接、与所述载置台相对配置的平面天线部件；其中，所述平面天线部件由实质上封闭的环形槽区分为内导体区域和外导体区域。
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