[发明专利]薄膜太阳能电池的互连无效

专利信息
申请号: 200580018271.9 申请日: 2005-05-23
公开(公告)号: CN1993831A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 蒂莫西·迈克尔·沃尔什;阿明·格哈德·阿伯利;斯图尔特·罗斯·韦纳姆 申请(专利权)人: 新南创新私人有限公司
主分类号: H01L27/142 分类号: H01L27/142
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 武玉琴;张友文
地址: 澳大利亚*** 国省代码: 澳大利亚;AU
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摘要: 描述了一种使形成在外加绝缘衬底或覆盖层上的薄膜太阳能电池相互连接的方法:薄膜太阳能电池的顶层和底层具有小于10,000Ω/sq的薄层电阻。该方法包括形成太阳能电池结构和形成一个或多个电接触(19)的步骤,该太阳能电池结构包括外加衬底/覆盖层上的至少一个n+-型层(2,3)和一个p+型层(4),每个电接触位于n+型层和p+-型层(16)之间,该n+型层在外加衬底/覆盖层的一个部分上,该p+-型层在衬底/覆盖层的相邻部分上。每个电接触(19)至少部分地由最初形成的太阳能电池的n+型层(2,3)和p+型层(4)各自的材料形成,其中:至少形成每个电接触的一部分的n+型层(2,3)和p+型层(4)材料在第一时间通过例如激光变为液相,并随后在电接触(19)另一侧形成过程中变为混合的固相(16)。通过在由激光形成的沟槽底部沉积导电剂,使相邻电池相互间形成电连接(19)。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 互连
【主权项】:
1、形成在外加绝缘衬底或覆盖层上的薄膜太阳能电池的互连方法,薄膜太阳能电池的顶层和底层的薄层电阻小于10,000Ω/sq,所述方法包括下列步骤:形成薄膜太阳能电池结构,所述太阳能电池结构包括外加衬底/覆盖层上的至少一个n+-型层和一个p+-型层;和形成一个或多个电接触,所述每个接触位于n+-型层和p+-型层之间,所述n+-型层在衬底/覆盖层的一个部分上,所述p+-型层在衬底/覆盖层的相邻部分上,其中,每个电接触至少部分地由最初形成的太阳能电池结构的n+-型层和p+-型层各自的材料形成,且其中,至少形成每个电接触的一部分的n+-型层和p+-型层的材料在形成电接触的过程中变为液相并随后变为固相。
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