[发明专利]用于存储单元形成的原位表面处理有效
| 申请号： | 200580018006.0 | 申请日： | 2005-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1961406A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | A·T·惠 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种用于在导电层上形成被动层的系统及方法，可在有机存储单元的制造期间完成，大体可减少习知无机存储组件的固有缺点。该被动层包括导电促进化合物，例如硫化铜(Cu2S)，由导电材料的上部产生。该导电材料可作为存储单元中的下层电极，且可经由用从氟(F)基气体产生的等离子体处理将该导电材料的上部转化为被动层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 单元 形成 原位 表面 处理 | ||
【主权项】：
1.一种用于原位表面处理形成存储单元的系统，包括：气体分配系统，选择性提供氟(F)基气体至处理室内；以及激发系统，电激发该氟基气体以在该室中建立等离子体，该等离子体与该表面相互作用以将该表面由导电材料转化为包括具有导电促进性能的导电促进化合物的被动层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯班逊有限公司，未经斯班逊有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580018006.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
