[发明专利]形成侧壁间隔物的方法无效
| 申请号： | 200580017616.9 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1961408A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | M·伦斯基;F·格雷奇;C·赖歇尔;C·施万;H·比尔施泰特;T·卡姆勒;M·马楚尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明可在衬底上的特征部位之邻接处形成侧壁间隔物，而不会对该特征部位发生非期望的侵蚀。一个或多个保护层覆盖于该特征部位。在该特征部位之上沉积间隔物材料层，并以各向异性的方式蚀刻该间隔物材料层。在该各向异性蚀刻中，系使用适于选择性地去除该间隔物材料的蚀刻剂，但是该等一个或多个保护层大致不会受到该蚀刻剂的影响。因此，该等一个或多个保护层使该特征部位不会暴露于该蚀刻剂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 侧壁 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成侧壁间隔物的方法，包括下列步骤：在衬底之上形成特征部位，该特征部位具有侧表面及上表面，该上表面由第一保护层及在该第一保护层之上形成的涂层覆盖；在该侧表面及该衬底之上形成第二保护层；去除该涂层；在该衬底和该侧表面之上以及在该上表面上方保形地沉积间隔物材料层；以及各向异性蚀刻该间隔物材料层。
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