[发明专利]用于制造具有硅化栅电极的半导体器件的方法以及用于制造包含该半导体器件的集成电路的方法有效
| 申请号： | 200580017132.4 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101023519A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | J－P·鲁;H·布;S·余;P·江 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;薛峰 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法和一种用于制造包含该半导体器件的集成电路的方法。除了其它可能的步骤，所述用于制造半导体器件(100)的方法包括：在衬底(110)上形成多晶硅栅电极，并且紧接于该多晶硅栅电极在衬底(110)中形成源极/漏极区域(170)。该方法进一步包括在所述源极/漏极区域(170)上形成阻挡层(180)和硅化该多晶硅栅电极以形成硅化栅电极(150)，该阻挡层(180)包括金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 硅化栅 电极 半导体器件 方法 以及 包含 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在衬底之上形成多晶硅栅电极；紧接于所述多晶硅栅电极在所述衬底中形成源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上形成阻挡层，所述阻挡层包含金属硅化物；对所述多晶硅栅电极进行硅化以形成硅化栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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