[发明专利]平面双栅极半导体器件有效
| 申请号： | 200580016796.9 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1957476A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | J·罗;Y·波诺马雷夫 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种制造双栅极半导体器件的方法，其中在硅本体(16)的第一表面(14)的一部分上形成第一栅极(12)之后，但是在与第一表面相反的硅本体的第二表面(44)上形成第二栅极(52)之前，执行源极和漏极接触区(34、36)的硅化。第一栅极(12)用作掩膜，以确保硅化的源极和漏极接触区与硅沟道(18)对准。而且，通过在制造早期阶段执行硅化，用于第二栅极的材料的选择不受任何高温工艺的限制。有利地，由硅化导致的硅本体的第二表面处的材料属性的差异，使得第二栅极能够在硅化物源极和漏极接触区之间横向对准。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 栅极 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造双栅极半导体器件的方法，该半导体器件具有硅本体(16)，该硅本体包括沟道(18)以及由所述沟道横向隔开的源极接触区和漏极接触区，所述方法包括步骤：-在硅本体的第一表面的一部分上形成第一栅极(12)，由此在第一栅极下面的硅本体(16)中确定沟道(18)；-使未被第一栅极覆盖的硅本体的区域硅化，以便确定硅化物源极接触区和漏极接触区(34、36)；并且随后-在与第一表面相对的硅本体的第二表面上形成第二栅极(52)，其中第二栅极在硅化物源极接触区和漏极接触区之间横向对准。
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