[发明专利]金属螯合物以及其在高存储能力的光记录介质中的应用

摘要

本发明涉及含有特定新金属螯合物的新光记录介质，其尤其在300－500纳米波长范围具有优异的记录和回放品质。

主权项

1.一种光记录介质，其中包括基材、记录层和任选反射层，其中所述记录层包括式Mn+(L₁)(L₂)(L₃)_z(I)化合物，其中:M为第6-12族过渡金属或第13族元素，其可任选与一种或多种其它配体配位和/或可任选与配位层内部或外部的一种或多种其它离子具有静电相互作用，以平衡过度充电；n为数字1、2或3；当n为1时y为数字0，或者当n为2或3时y为数字0或1；当n为1或2时z为数字0，或者当n为3时z为数字0或1；L₁和L₂彼此独立地为下式配体:L₁和L₂可能通过R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆或Q中的任意一个互相键合；L₃，独立于L₁和L₂外，为其它配体(IIa)、(IIb)或(IIc)；Q为O、S、NR₇、N-OR₈或N-NR₈R₉；R₁、R₂、R₃和R₄彼此独立地为R₁₀、NR₈R₉、NR₁₁R₈R₉、NO₂、SiR₈R₁₂R₁₃、C(R₁₁)＝NR₈、C(R₁₁)＝N-OR₈、CON(R₁₁)OR₈、CON(R₁₁)OR₈R₉、S(O)R₁₂、S(O)₂-R₁₂、S(O)-R₈、S(O)N(R₁₁)NR₈R₉、SO₂NR₈R₉、SO₂N(R₁₁)NR₈R₉、SO₃R₈、P(O)R₁₂R₁₃、P(O)R₁₂OR₈、P(O)OR₈OR₉或P(O)(NR₈R₉)₂；R₂、R₃和R₄中之一可能另外为C₆-C₁₀芳基、C₁-C₉杂芳基、C₇-C₁₂芳烷基或C₂-C₁₂杂芳烷基，其未取代或被一个或多个相同或不同的硝基、R₁₀和/或R₇基取代；R₅和R₁₀与R₁-R₄无关，其中合适的每个R₁₀独立于其它R₁₀为氢、卤素、OR₇、SR₇、NR₇R₈、COR₁₁、COOR₁₁、CONR₈R₉、CN、OCN或SCN，或为C₁-C₅烷基、C₂-C₅烯基、C₂-C₅炔基、C₃-C₅环烷基、杂C₂-C₅环烷基或C₃-C₅环烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代；R₆独立于R₁-R₅为氢、OR₈、SR₈、NR₈R₉；C₁-C₅烷基、C₂-C₅烯基、C₂-C₅炔基、C₃-C₅环烷基、杂C₂-C₅环烷基或C₃-C₅环烯基，其未取代或被COR₁₁、COOR₁₁、CONR₈R₉、CN、卤素和/或OR₁₁单或多取代；或为C₆-C₁₀芳基、C₁-C₉杂芳基、C₇-C₁₂芳烷基或C₂-C₁₂杂芳烷基，其未取代或被一个或多个任选相同或不同的硝基、R₁₀和/或R₇基取代；R₇为氢、COR₁₁、COOR₁₂、CR₈OR₉OR₁₁、CONR₈R₉、SO₂R₁₂、P(O)R₁₂R₁₃、P(O)R₁₂OR₁₃，或P(O)OR₁₂OR₁₃，或C₁-C₅烷基、C₂-C₅烯基、C₂-C₅炔基、C₃-C₅环烷基、杂C₂-C₅环烷基或C₃-C₅环烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代；或在所有情况下R₁和R₂、R₂和R₃和/或R₃和R₄共同为C₂-C₁₀亚烷基或C₂-C₁₀亚烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代，或形成优选不完全共轭的其它环，或为或者在所有情况下R₅和R₆和/或R₆和R₇共同为C₂-C₁₀亚烷基或C₂-C₁₀亚烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代，或者形成优选不完全共轭的其它环；R₈、R₉和R₁₁彼此独立地并且与R₁-R₇不同，为氢；C₁-C₅烷基、C₂-C₅烯基、C₂-C₅炔基、C₃-C₅环烷基、杂C₂-C₅环烷基或C₃-C₅环烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代；或为C₆-C₁₀芳基、C₁-C₉杂芳基、C₇-C₁₂芳烷基或C₂-C₁₂杂芳烷基，其未取代或被一个或多个任选相同或不同的卤素、OR₁₂、SR₁₂、NR₁₂R₁₃、CN、OCN、SCN、COR₁₂、CR₁₄OR₁₂OR₁₃、COOR₁₂、CONR₁₂R₁₃、SO₂R₁₂、P(O)R₁₂R₁₃、P(O)R₁₂OR₁₃和/或P(O)OR₁₂OR₁₃取代；或者R₇和R₈和/或R₈和R₉共同为C₂-C₁₀亚烷基或C₂-C₁₀亚烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代，并且每个可被O或NR₁₁中断，R₁₂、R₁₃和R₁₄彼此独立地为C₁-C₅烷基、C₂-C₅烯基、C₂-C₅炔基、C₃-C₅环烷基、杂C₂-C₅环烷基或C₃-C₅环烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代；或者R₁₂和R₁₃共同为C₂-C₁₀亚烷基或C₂-C₁₀亚烯基，其未取代或被卤素和/或OR₁₁单或多取代，并且每个可被O或NR₁₁中断。