[发明专利]透明导电膜及其制造方法、以及透明导电性基材、发光装置有效
| 申请号： | 200580010515.9 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1938791A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;阿部能之 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B15/04;H01B13/00;C23C16/40;B23B9/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供新的透明导电性薄膜叠层膜，其不仅在可见光区的透射率高、且具有低的表面电阻(6～500Ω/□)，而且在波长380～400nm的可见光短波长区或更短波长的300～380nm的近紫外区也兼具高的光透射率。金属薄膜11的表面被透明氧化物薄膜10、12覆盖的叠层结构的透明导电膜。透明氧化物薄膜10、12是主要由镓、铟和氧构成的非晶质氧化物薄膜、或者是主要由镓和氧构成的非晶质氧化物薄膜，透明氧化物薄膜10、12中所含的镓的比例相对于全部金属原子为35原子％以上100原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 及其 制造 方法 以及 导电性 基材 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜，是金属薄膜的表面被透明氧化物薄膜覆盖的叠层结构的透明导电膜，其特征在于，该透明氧化物薄膜是主要由镓、铟和氧构成的非晶质氧化物薄膜、或是主要由镓和氧构成的非晶质氧化物薄膜，该透明氧化物薄膜中所含的镓的比例相对于全部金属原子为35原子％以上100原子％以下。
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