[发明专利]采用嵌入聚合物中的纳米晶体的闪存装置

摘要

本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。

主权项

1、一种闪存装置，包括：半导体衬底；形成在活性区中但彼此分离的漏极区和源极区；和该漏极区和源极区之间的沟道区，其中该沟道区靠近所述源极区形成，并包括由聚合物薄膜中的金属或金属氧化物纳米结晶体构成的浮栅，和形成于浮栅上并由所述聚合物薄膜电绝缘的控制栅。