[发明专利]用于R-T-B型烧结磁体的合金块其制造方法和磁体有效
申请号: | 200580010040.3 | 申请日: | 2005-04-07 |
公开(公告)号: | CN1938792A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 长谷川宽;佐佐木史郎;细野宇礼武;油井正明 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;刘瑞东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种用于R-T-B型烧结磁体的合金块,包括R2T14B柱状晶体和富R相(其中R是包括Y的至少一种稀土元素,T是Fe或具有除了Fe的至少一种过渡金属元素的Fe,B是硼或具有碳的硼),其中在铸造状态中,接近线状或棒状形状(线或棒的宽度方向是短轴方向)的富R相分散在横截面中,并且在长轴方向上的长度为500μm或更长和在短轴方向上的长度为50μm或更长的R2T14B柱状晶粒的区域的面积百分比是整个合金的10%或更多。 | ||
搜索关键词: | 用于 烧结 磁体 金块 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于R-T-B型烧结磁体的合金块,包括R2T14B柱状晶体和富R相(其中R是包括Y的至少一种稀土元素,T是Fe或具有除了Fe的至少一种过渡金属元素的Fe,B是硼或具有碳的硼),其中在铸造状态中,接近线状或棒状形状(线或棒的宽度方向是短轴方向)的富R相分散在横截面中,并且在长轴方向上的长度为500μm或更长和在短轴方向上的长度为50μm或更长的R2T14B柱状晶粒的区域的面积百分比是整个合金的10%或更多。
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