[发明专利]臭氧水供给方法和臭氧水供给装置无效
| 申请号： | 200580010034.8 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1938829A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 福井长雄;井田纯一;森田博志 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C02F1/02;C02F1/32;C02F1/34;C02F1/36;C02F1/70;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种臭氧水供给方法，其特征在于将具有臭氧分解抑制物质的臭氧水转送到使用点(7)，在使用点附近，通过浓度调整机构，将该水的浓度降低到规定的臭氧浓度。一种臭氧水供给装置，其特征在于该臭氧水供给装置包括臭氧溶解装置(4)，其将臭氧气体溶解于纯水中，调制臭氧水；将臭氧分解抑制物质供给到上述纯水或上述臭氧水中的机构；臭氧水转送配管(6)，该臭氧水转送配管将通过上述臭氧溶解装置调制的臭氧水转送到使用点；浓度调整机构(8)，该浓度调整机构设置于使用点附近，将通过臭氧水转送配管转送的臭氧水降低到规定的臭氧浓度。通过本装置，可在半导体、液晶等的电子材料的湿式清洗工序、表面处理工序等中，稳定地将规定的臭氧浓度的臭氧水供向使用点。 | ||
| 搜索关键词： | 臭氧 供给 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种臭氧水供给方法，其特征在于将具有臭氧分解抑制物质的臭氧水转送到使用点，在使用点附近，通过浓度调整机构，将该水的浓度降低到规定的臭氧浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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