[发明专利]Ⅲ－氮电流控制装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200580008993.6 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1957474A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·比克 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 霍育栋;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III－氮(III－nitride)装置包括产生名义上截止的凹槽电极，或增强模式。通过提供凹槽电极，当电极接触是待用的而阻断了装置中的电流时，形成在两个III－氮系材料的界面的导电沟槽被阻断。电极可以是肖特基接触或绝缘金属接触。两个欧姆接触被提供用来形成具有名义截止特点的整流装置。形成在电极上的凹槽具有倾斜的侧面。电极可以和装置中的电流承载电极在它们的连接点用许多几何图形来形成。当电极没有凹槽时，名义上的装置，收缩电阻器被形成。通过在绝缘层和AlGaN层之间提供无凹槽欧姆接触和肖特基接触还形成二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 控制 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种III-氮电流控制装置，包括：在两层具有不同内平面晶格常数或不同带隙的III-氮材料之间的界面上形成的导电沟道；与承载沟道电流的沟道耦合的第一电极；与沟道耦合，并且可以影响导电沟道来控制导电沟道中的电流传导的第二电极；并且第一电极包含欧姆接触。
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