[发明专利]三栅晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200580007279.5 | 申请日： | 2005-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1930671A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·赵;休曼·达塔;布赖恩·多伊尔;B·金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方案提供用于为绝缘体上硅晶体管制造实现一致硅体高度的方法。对于一个实施方案来说，牺牲氧化物层被设置在半导体衬底上。蚀刻所述氧化物层以形成沟槽。然后用半导体材料填充沟槽。然后以氧化物层的剩余物为基准，平坦化半导体材料，并且然后氧化物层的剩余物被移除。这样被暴露的半导体鳍具有达到在指定容限内的一致高度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法包括：在半导体衬底上设置沟槽层；选择性地移除所述沟槽层的部分以便所述沟槽层的剩余物形成一个或更多个沟槽，所述沟槽层的部分的移除暴露所述半导体衬底；用半导体材料填充所述一个或更多个沟槽；从所述一个或更多个沟槽移除任何多余的半导体材料；以及移除所述沟槽层的额外部分以将所述半导体材料暴露为一个或更多个半导体鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
