[发明专利]用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统和方法有效
| 申请号： | 200580003213.9 | 申请日： | 2005-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1914004A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂文·J·贝纳 | 申请（专利权）人： | TBW工业有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B7/19;B24B33/00;B24C5/00;H01L21/302;C03C23/00;C23G1/02;B08B3/14;B24B21/18;B24B7/00;B24B5/00;B24B9/00;B24B29/00;H01L21/46 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜涛;郑霞 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在单级化学机械平面化(CMP)装置上执行多步骤研磨制程的设备，其使用原位修整操作以不断地从研磨垫的表面清理和抽出碎屑和用过的研磨液。通过在各平面化周期开始，提供清洁的、实际上“新的”研磨垫表面，可使用不同化学性质、形态、温度等的研磨试剂，而不需要去除晶片来改变研磨源或将晶片传送到另外的CMP研磨台。多位置阀可用于控制多种制程流体的引入，所述多种制程流体包括多种不同的研磨浆和修整/冲洗试剂。对于不同制程条件，不同修整材料的使用允许研磨垫的表面改变(例如，中和在先的研磨化学物质，改变垫的表面温度以控制研磨速率，表面活性剂的使用以移去吸引到垫表面的微粒等)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械 平面化 步骤 原位 修整 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提供原位制程的方法，其用于修整化学机械平面化(CMP)制程中所使用的研磨垫的表面，所述原位修整制程包括下列步骤：a)处理所述研磨垫的表面以移去与所述化学机械平面化制程有关的污染物；b)抽出离开所述研磨垫的所述移去的污染物，以准备清洁的研磨垫表面；以及c)提供所述所清洁的研磨垫表面，用于随后的平面化制程。
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