[发明专利]使用原位修整制程的化学机械平面化制程控制

摘要

一种用于提供CMP系统中的制程控制的系统和方法，其使用用于修整晶片研磨垫的真空辅助设备，从而来自修整制程的流出物(即晶片碎屑、研磨浆、化学或其它副产物)从废流中转移开，而引入分析模块，进行进一步的处理。所述分析模块用于确定所述流出物内的至少一个参数，且基于分析来产生制程控制信号。所述制程控制信号然后反馈到平面化制程，以允许多种参数例如研磨浆的成分、温度、流速等的控制。所述控制信号还可用于控制制程和/或确定所述平面化制程自身的终点。

主权项

1.一种用于提供化学机械平面化(CMP)系统中的制程控制的设备，所述设备包括修整装置，其包括用于从化学机械平面化研磨垫的表面移去用过的研磨浆、晶片碎屑和/或修整试剂(全体地为“流出物”)的磨蚀修整盘，和用于从所述研磨垫附近抽出所述流出物的真空出口通道；分析单元，其连结到所述修整装置，以收集在修整操作期间从所述研磨垫表面所抽出的所述流出物的至少一部分，以及估计所述流出物中的至少一成分来产生平面化制程控制信号；和研磨浆传输装置，其用于在化学机械平面化制程期间，将至少一研磨浆分配到所述研磨垫的所述表面，所述研磨浆传输装置响应所述平面化制程控制信号来适应所述平面化制程，以响应于所述流出中所述所估计的成分。