[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510134192.6 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1815712A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 石塚章広;岡本悟;物江滋春;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是制造防止因透明导电膜和蚀刻气体起反应而引起产生微小灰尘，具有良好特性的半导体器件。本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其中，形成透明导电膜，在所述透明导电膜上形成第一导电膜，在所述第一导电膜上形成第二导电膜，用含有氯的气体蚀刻所述第二导电膜，用含有氟的气体蚀刻所述第一导电膜。当用含有氯的气体蚀刻第二导电膜时，透明导电膜被第一导电膜保护，并当含有氟的气体蚀刻第一导电膜时，透明导电膜和含有氟的气体不会起反应，因此，不会产生灰尘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：形成透明导电膜；在所述透明导电膜上形成第一导电膜；在所述第一导电膜上形成第二导电膜；使用包含氯的气体蚀刻所述第二导电膜；以及使用包含氟的气体蚀刻所述第一导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
