[发明专利]成像装置无效
| 申请号： | 200510124799.6 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1776918A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 岩本真司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种成像装置，包括：图像拾取区域，其包括多个光接收部分(2)和包括多个转移电极的垂直转移寄存器(3)，所述多个转移电极包括兼作读电极的转移电极(8)和其它转移电极(7)，并且所述垂直转移寄存器(3)设置在每列的光接收部分(2)处。设置在垂直转移寄存器(3)中还作为读电极的转移电极(8)的每个形成得与在水平方向上彼此相邻的兼作读电极的转移电极(8)和其它转移电极(7)分隔开。在该包括多个规则排列的光接收部分(2)的成像装置中，可以防止在沿垂直方向彼此相邻的光接收部分(像素)(2)之间发生色彩混合。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 | ||
【主权项】：
1、一种成像装置，包括：图像拾取区域，包括多个光接收部分和包括多个转移电极的垂直转移寄存器，所述多个转移电极包括兼作读电极的转移电极和其它转移电极，并且所述垂直转移寄存器设置在每列的光接收部分处，其中，设置在垂直转移寄存器中兼作所述读电极的转移电极的每个与在水平方向上彼此相邻的兼作读电极的转移电极和其它转移电极分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
