[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法

摘要

本发明披露了一种制造CMOS图像传感器的方法，其通过在形成源极区和漏极区的离子注入过程中，防止杂质离子被注入栅电极的下侧，来减小关态电流，所述方法包括：在包括光电二极管区和晶体管区的第一导电型半导体衬底的晶体管区上形成栅电极；在光电二极管区和晶体管区中的栅电极两侧分别形成轻掺杂的第二导电型扩散区；在包括栅电极的半导体衬底的整个表面上形成屏蔽层；形成光刻胶图案以覆盖光电二极管区和栅电极；使用光刻胶图案作为掩模，通过将高密度的第二导电型杂质离子注入半导体衬底的整个表面，形成高掺杂的第二导电型扩散区；以及去除光刻胶图案和氧化物层。

主权项

1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在包括光电二极管区和晶体管区的第一导电型半导体衬底的晶体管区上形成栅电极；在所述光电二极管区和所述晶体管区中的所述栅电极两侧分别形成轻掺杂的第二导电型扩散区；在包括所述栅电极的所述半导体衬底的整个表面上形成屏蔽层；形成光刻胶图案，以覆盖所述光电二极管区和所述栅电极；使用光刻胶图案作为掩模，通过将高密度的第二导电型杂质离子注入所述半导体衬底的整个表面，形成高掺杂的第二导电型扩散区；以及去除所述光刻胶图案和所述氧化物层。