[发明专利]产生具有光学邻近校正特征的掩模的方法和器件制造方法有效
| 申请号： | 200510116534.1 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1800987A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | D·范登布罗克;J·F·陈 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/207 | 分类号： | G03F7/207;H01L21/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种产生具有光学邻近校正特征的掩模的方法，该方法包括以下步骤：(a)获得具有要成像到基片上的特征的期望目标图案；(b)确定将掩模成像时用的第一聚焦设定；(c)确定基于目标图案和第一聚焦设定的第一干涉图；(d)以第一干涉图为基础，确定代表辅助特征在掩模中相对于成像的特征的最优布置的第一播种点；(e)选择代表相对于第一聚焦设定的预定散焦量的第二聚焦设定；(f)基于目标图案和第二聚焦设定，确定第二干涉图；(g)以第二干涉图为基础，确定代表辅助特征在掩模中相对于要成像的特征的最优布置的第二播种点；和(h)生成具有包含第一播种点和第二播种点的形状的辅助特征。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 具有 光学 邻近 校正 特征 方法 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种产生其中配有光学邻近校正特征的掩模的方法，所述方法包括以下步骤：(a)获得具有要成像到基片上的特征的期望目标图案；(b)确定成像所述掩模时用的第一聚焦设定；(c)基于所述目标图案和所述第一聚焦设定确定第一干涉图；(d)以第一干涉图为基础，相对于要成像的特征，确定代表辅助特征在掩模中的最优布置的第一播种点；(e)相对于所述第一聚焦设定选择代表预定散焦量的第二聚焦设定；(f)基于所述目标图案和所述第二聚焦设定，确定第二干涉图；(g)以第二干涉图为基础，相对于所述要成像的特征，确定代表辅助特征在掩模中的最优布置的第二播种点；和(h)生成具有包含所述第一播种点和所述第二播种点的形状的辅助特征。
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