[发明专利]一种含铬类金刚石薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200510112723.1 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1743503A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 于翔;刘阳;于德洋;王成彪 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(北京);北京实力源科技开发有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含铬类金刚石薄膜及其制备方法，所述薄膜是在基体表面气相沉积的无氢含铬类金刚石薄膜，具有沿基体表面垂直方向自里向外依次为Cr层、CrNx层、CryCz层、Cr层、CrNx层、CryCz层……交替的致密多层梯度结构，膜厚不小于2μm，它具有高硬度、良好膜/基间结合力和良好的耐磨性能。其制备方法是利用磁控溅射系统进行镀膜，磁控靶为1对非平衡磁控Cr靶和1－4对非平衡磁控C靶，靶电源为20－250kHz的中频交流电源；利用单级脉冲直流电源控制在待镀膜基体上施加脉冲基体负偏压；溅射气体为氩气，该制备方法克服了直流反应磁控溅射法合成类金刚石薄膜存在的靶中毒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含铬类 金刚石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含铬类金刚石薄膜，它是在基体表面气相沉积的无氢含铬类金刚石薄膜，其特征在于：所述薄膜具有沿基体表面垂直方向自里向外依次为Cr层、CrNx层、CryCz层、Cr层、CrNx层、CryCz层……交替的致密多层梯度结构。
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