[发明专利]提高可靠性和成品率的消除铜位错的方法无效
| 申请号： | 200510111640.0 | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1983550A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 郑文跃;毛刚;崔剑飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 依照本发明的实施例提供了形成避免由铜迁移引起缺陷的金属互连结构的方法。依照具体实施例，在化学机械抛光和随后覆盖的阻挡层形成之前，电镀的铜部件经受了短暂的退火。这种退火意图引起铜的迁移并导致凸起或空洞的形成，然后通过CMP步骤去除凸起和空洞。因此，阻挡层可以随后形成在无缺陷表面之上，作为热处理的结果，该无缺陷表面已经经历了沿着晶界的应力释放。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 可靠性 成品率 消除 铜位错 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造包括金属互连结构的集成电路器件的方法，所述方法包括：提供一个第一电介质材料覆盖在半导体衬底的表面上，所述第一电介质材料限定有一个沟槽；在所述沟槽内并在所述第一电介质材料之上形成导体；去除所述沟槽外面的导体；使所述导体经受热能以引起导体迁移；并且然后平面化所述导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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