[发明专利]一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法无效
| 申请号： | 200510111300.8 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979784A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 伍宏;陈晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法，首先确定中压MOS晶体管的低压阱和阈值电压调节离子注入区域；确定低压MOS晶体管的中压阱和阈值电压调节离子注入区域；然后，修改相应的中压和低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入光刻板版图，以在低压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行中压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入，并在中压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入；最后，制作光刻板并进行流片。本发明可以同时有效缓解低压和中压MOS晶体管的反窄沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓解 mos 场效应 管反窄 沟道 效应 方法 | ||
【主权项】：
1、一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法，其特征在于，首先确定中压MOS晶体管的低压阱和阈值电压调节离子注入区域，即该注入区域在该MOS晶体管硅区域里的宽度(a)和该注入区域在该中压MOS晶体管硅区域外即浅沟道隔离区域里的宽度(b)；确定低压MOS晶体管的中压阱和阈值电压调节离子注入区域，即该注入区域在该低压MOS晶体管硅区域里的宽度(c)和该注入区域在该低压MOS晶体管硅区域外即浅沟道隔离区域里的宽度(d)；然后，修改相应的中压和低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入光刻板版图，以在低压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行中压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入，并在中压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入；最后，制作光刻板并进行流片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
