[发明专利]实现STI的工艺方法无效
| 申请号： | 200510111179.9 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1979798A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 章宇翔;岩垂史 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现STI的工艺方法，采用现有的STI工艺，至少包括以下步骤，浅沟道刻蚀、高密度等离子体膜淀积、CMP研磨；其中，在高密度等离子体膜淀积之后，追加成长一层平坦化的膜层，然后再进行热处理，进行热处理后再实施CMP研磨。本发明可改进浅沟槽绝缘结构面内均一性，而且操作简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 sti 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种实现STI的工艺方法，采用现有的STI工艺，至少包括以下步骤，浅沟道刻蚀、高密度等离子体膜淀积、CMP研磨；其特征在于，在高密度等离子体膜淀积之后，追加成长一层平坦化的膜层，然后再进行热处理，进行热处理后再实施CMP研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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