[发明专利]在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法无效
| 申请号： | 200510110123.1 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1964014A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 周贯宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法，它不但可以减小STI边缘漏电，并且可以节省热预算。所述的栅氧生长工艺流程至少包括以下步骤：牺牲氧化层生长；阱注入；热处理；栅氧生长；其中，它将利用等离子体化学气相沉积方法生长的二氧化硅作为所述的牺牲氧化层。利用等离子体化学气相沉积的二氧化硅更容易被HF刻蚀的原理，从而大大减短了在栅氧生长之前的HF处理时间，减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小角的影响，达到获得较小STI边缘漏电流的效果；同时，也利用等离子体化学气相沉积的二氧化硅的温度更低的原理，节省了热预算，并有助于减小硅片的静态漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 工艺流程 减小 沟槽 隔离 边缘 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法，所述的栅氧生长工艺流程至少依次包括以下步骤：牺牲氧化层生长；阱注入；氢氟酸处理；栅氧生长；其特征在于，它将利用等离子体化学气相沉积方法生长的二氧化硅作为所述的牺牲氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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