[发明专利]磁性随机处理存储器装置有效
| 申请号： | 200510109273.0 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1851822A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置，包括一存储单元，存储单元的读取容限是超过存储单元内磁阻元件的磁阻比率。存储单元是包括一磁阻元件，一参考晶体管、以及一放大晶体管。磁阻元件可包括一个夹于两电极层中间的磁性穿隧接面。其中一个电极层可连接至一输入节点，而输入节点亦连接至参考晶体管的漏极或源极以及放大晶体管的栅极。放大晶体管的漏极经由一导电程序线连接至一感测放大器。存储单元是利用流经磁阻元件的电流来控制放大晶体管栅极至源极的电压，并依据横跨放大晶体管的压降(或损失电流)以感应存储单元的状态。本发明使读取容限增加，故磁阻元件间差异所导致的影响即使未能消除，也可大幅度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 处理 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机处理存储器装置，所述磁性随机处理存储器装置包括：一存储单元，其是包括一磁阻元件，一参考晶体管，以及一放大晶体管，其中该磁阻元件是包括一第一与一第二电极层，其中该参考晶体管是包括一漏极与一源极；其中该漏极与该源极其中之一是连接至该磁阻元件的第一电极层，以及其中该放大晶体管是包括一栅极，该栅极是连接至该磁阻元件的第一电极层。
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