[发明专利]高质量单晶及生长单晶的方法有效
| 申请号： | 200510109230.2 | 申请日： | 2005-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1766179A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;黄永武 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从坩埚内的熔融体生长单晶的方法。该方法包括如下步骤：沿着平行于所述单晶长度方向的轴，从所述单晶与所述熔融体的界面开始，使所述熔融体的温度逐渐上升至最高点，然后逐渐降低至所述坩埚底部。维持所述熔融体的升温温度梯度大于其降温温度梯度。优选的是，所述轴被设定为穿过所述单晶的中心。优选的是，所述熔融体内部区域的对流小于其外部区域的对流。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从坩锅内的熔融体生长单晶的方法，该方法包括如下步骤：沿着平行于所述单晶长度方向的轴，从所述晶体与所述熔融体的界面开始，使所述熔融体的温度逐渐上升至最高点，然后逐渐降低至所述坩锅底部，其中，维持所述熔融体的升温温度梯度大于其降温温度梯度。
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