[发明专利]包括LDMOS晶体管的半导体器件无效
| 申请号： | 200510106819.7 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1755944A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 藤井宏基 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件(100)包括LDMOS晶体管，其包括：P型硅衬底(102)；形成在P型硅衬底(102)上的栅电极(120)；在水平方向上远离栅电极(120)形成的漏(第二N型扩散区109)；形成在漏(第二N型扩散区109)上的漏电极(130)；位于栅电极(120)和漏电极(130)之间并且具有比栅绝缘膜(112)的膜厚度厚的膜厚度的绝缘膜(场氧化膜106)；以及在绝缘膜上沿漏电极(130)形成的电场控制电极(118)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 ldmos 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括LDMOS晶体管的半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅电极；在水平方向上远离所述栅电极形成的漏；形成在所述漏上的漏电极；绝缘膜，其具有比栅绝缘膜的膜厚度厚的膜厚度并且位于所述栅电极和所述漏之间；以及电场控制电极，其沿所述漏电极形成在所述绝缘膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510106819.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混合类型的冷却装置
- 下一篇：具有静电放电保护的电连接器
- 同类专利
- 专利分类
